به گزارش سرویس تازه های دنیای فناوری مجله تک تایمز ،
بسیاری از کاربران گوشی‌های هوشمند انتظار داشتند که کمپانی کوآلکام از پرچمدار پردازندههای خود در ماه دسامبر سال جاری رونمایی به عمل آورد اما اکنون بر اساس گزارش‌های رسیده از سایت‌های خبری غیر چینی (از طریق WCCFtech) گویا این کمپانی تصمیم دارد تا پردازنده‌ی موبایلی اسنپدراگون ۸۶۵ را ماه آینده‌ی میلادی معرفی نماید. گفته می‌شود که کمپانی کوآلکام به این دلیل که از کمپانی‌های هوآوی و سامسونگ عقب نماند، زمان رونمایی از پردازنده‌ی پرچمدار خود را جلوتر انداخته است. همانطور که می‌دانید، هوآوی و سامسونگ با معرفی پردازنده‌ی کایرین ۹۹۰ در ماه گذشته سرعت عمل بالاتری داشتند.
یکی دیگر از مزیت‌هایی که پردازنده‌ی بکار رفته در هوآوی میت ۳۰ دارد این است که دارای یک مودم داخلی متشکل از ۱۰٫۳ میلیارد ترانزیستور دسته‌بندی شده می‌باشد. البته لازم به ذکر از که پرچمدار پردازندههای اسنپدراگون قرار است با پردازنده‌ی A13 bionic اپل مقایسه گردد و قطعا عملکرد بسیار بالایی خواهد داشت. در طی گزارش منتشر شده آمده است که نمونه‌ی اولیه‌ی پردازنده‌ی اسنپدراگون ۸۶۵ قرار است توسط کمپانی‌های سامسونگف ویوو، اوپو و شیائومی مورد استفاده قرار گیرد.
احتمالا اولین گوشی هوشمندی که می‌تواند از این پردازنده‌ی فوق‌العاده قدرتمند استفاده نماید، گلکسی S11 سامسونگ خواهد بود که قرار از در فوریه‌ی سال ۲۰۲۰ میلادی رونمایی گردد. اگر به خاطر داشته باشید، اولین گوشی هوشمندی که از پردازنده‌ی اسنپدراگون ۸۵۵ استفاده کرد، Mi 9 کمپانی شیائومی بود. اساسا در سال‌های گذشته، سری گلکسی S سامسونگ به طور معمول از نخستین پردازندههای تولیدی کمپانی کوالکام بهره می‌برد.
سامسونگ می‌تواند به جای استفاده از پردازنده‌ی Exynos 9830 از پردازنده‌ی ARM Cortex-A77 بهره ببرد
پردازندههای اسنپدراگون که توسط کمپانی کوآلکام طراحی شده‌اند، با فرآیند تکنولوژی ساخت چیپست‌های ۷ نانومتری کمپانی سامسونگ تولید می‌شوند. ابعاد تولید پردازنده‌ها هرچه کوچک‌تر باشد (در این پردازنده؛ ۷ نانومتر)، ترانزیستورهای بیشتری در داخل پردازنده جای گرفته است. تعداد ترانزیستورهای بیشتر منجر به تشکیل یک مدار قدرتمندتر و مصرف انرژی کمتر می‌شود. فرآیند EUV به لیتوگرافی بیش از اندازه‌ی ماورا بنفش اطلاق می‌شود که با استفاده از پرتوهای دقیق‌تر نور ماورا بنفش، صفحه‌ی مرگ نمایش داده می‌شود.
این فرآیند سبب می‌گردد تا ترانزیستورها در محلی دقیق بر روی تراشه قرار بگیرند و سبب می‌گردد تا امکان قرارگیری تعداد حداکثری ترانزیستورها فراهم گردد. استفاده از فناوری EUV در پردازنده‌ی اسنپدراگون ۸۶۵ پلتفرم‌های موبایلی سبب شده است تا به میزان ۲۰، ۳۰، ۴۰ و ۵۰ درصد در مصرف انرژی صرفه‌جویی به عمل آید و این آمارها در مقایسه با پردازنده‌ی اسنپدارگون ۸۵۵ می‌باشد. لازم به ذکر است که در سال ۲۰۲۱ میلادی، کمپانی کوالکام به فناوری TSMC باز خواهد گشت زیرا تصمیم دارد تا پردازنده‌ی اسنپدراگون ۸۷۵ را با فناوری ۵ نانومتری تولید نماید.
در سایر خبرهای منتشر شده، WCCFtech گزارش داده است که تراشه‌ی پرچمدار بعدی سامسونگ اگزینوس ۹۸۳۰ خواهد بود که از هسته‌های Mongoose CPU اختصاصی استفاده نخواهد کرد. گویا این مسئله از اینجا نشات می‌گیرد که قدرت هسته‌ی ARM هم‌اکنون به قدری بالاست که سامسونگ را تحت تاثیر قرار داده و تصمیم گرفته تا به طور کلی از این هسته به جای Mongoose CPU اختصاصی خود استفاده نماید.
درحالی که پردازنده‌ی Cortex-A77 در زمان رونمایی از پردازنده‌ی کایرین ۹۹۰ در دسترس بود اما این شرکت تصمیم گرفت تا از یک پردازنده‌ی ضعیف‌تر به نام Cortex-A76 در دستگاه خود استفاده نماید. ریچارد یو، رئیس بخش ارتباط با مشتریا کمپانی هوآوی در این خصوص اعلام کرد که رویکرد شرکت به این صورت است؛ به منظور کاهش میزان مصرف باتری، سعی می‌کند تا از پردازنده‌ای کمی ضعیف‌تر نسبت به پرچمدار پردازنده‌ها استفاده نماید.
درحالی که کمپانی ARM اظهار کرد که Cortex-A77 سبب می‌شود تا به میزان ۲۰ درصد میزان مصرف باتری کاهش یابد ولی از طرفی دیگر هوآوی اعلام کرد که اظهارات ARM با نتایج آزمایشات این کمپانی مغایرت دارد. اکنون باید منتظر باشیم تا ببینیم آیا Cortex-A77 در پردازنده‌ی کایرین ۱۰۰۰ اولین چیپست ۵ نانومتری هوآوی است که در خط تولید Mate 40 معرفی خواهد شد یا خیر؟
بر اساس قانون Gordon Moore، مدیرعامل کمپانی اینتل، تجربه نشان داده است که هر سال تعداد ترانزیستورهای پردازندههای موبایلی ۲ برابر می‌شود. در حالی که اکنون این نگرانی وجود دارد به زودی تاریخ انقضای قانون مور به اتمام برسدف زیرا کمپانی‌های TSMC و سامسونگ هم‌اکنون نقشه‌هایی دارند تا پردازنده‌هایی با فناوری ۳ نانومتری تولید نمایند. گویا TSMC به دنبال تکنولوژی غیر از سیلیکون می‌باشد تا بتواند پردازندههای ۳ و ۲ نانومتری تولید نماید. همچنین تصمیم دارد تا ترانزیستورها را با آرایش عمودی طراحی و توسعه دهد، زیرا در این حالت می‌تواند تعداد ترانزیستورهای بیشتری را در تراشه استفاده نماید.
بمنظور اطلاع از دیگر خبرها به صفحه اخبار فناوری اطلاعات مراجعه کنید.
